Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
/AlON stacked gate dielectrics for AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistors渡邉 健太*; 寺島 大貴*; 野崎 幹人*; 山田 高寛*; 中澤 敏志*; 石田 昌宏*; 按田 義治*; 上田 哲三*; 吉越 章隆; 細井 卓治*; et al.
Japanese Journal of Applied Physics, 57(6S3), p.06KA03_1 - 06KA03_6, 2018/06
被引用回数：10 パーセンタイル：45.49(Physics, Applied)AlGaN/GaN MOS-HFETの高性能化・ノーマリオフ化には、高品質なゲート絶縁膜が必要である。これまで我々はAlO
に窒素を添加したAlON膜がAlO膜よりも電子注入耐性および界面特性に優れることを明らかにしている。本研究では、その良好な界面特性を維持しつつ、更に絶縁性の向上を図るため、薄いAlON界面層上にバンドギャップの広いSiO膜を積層したSiO/AlON/AlGaN/GaN構造について検討した。その結果、AlON界面層の厚さが約3.3nmと薄い場合でも、SiO/AlON積層構造はAlON単層の場合と同等の容量-電圧特性を示し、良好な界面特性を示した。また、絶縁破壊電界はAlON単層と比べて2倍以上の約8MV/cmを示した。以上の結果は、SiO/AlON積層構造が優れた界面特性と絶縁特性を両立するGaN MOSデバイス向けゲート絶縁膜として有望であることを意味している。
/Ge gate stacks with ultrathin aluminum oxide interlayers淺原 亮平*; 秀島 伊織*; 岡 博*; 箕浦 佑也*; 小川 真吾*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*
Applied Physics Letters, 106(23), p.233503_1 - 233503_4, 2015/06
被引用回数：21 パーセンタイル：65.02(Physics, Applied)サブnmの換算酸化膜厚を有する高性能金属/high-/Geゲートスタック構造とその界面特性の改善を酸化アルミニウム中間層を使った界面反応制御によって実現した。物理および電気的な複合評価によってAlOx界面層の諸特性やプラズマ酸化などの詳細な関係を明らかにした。
山西 敏彦
プラズマ・核融合学会誌, 78(12), p.1295 - 1300, 2002/12
原研TPL(トリチウムプロセス研究棟)においては、1988年4月から今日まで、事故等によるトリチウム放出は皆無であり、約60gの大量トリチウムの安全取り扱い実績を積み上げている。安全設備のトリチウム除去系も順調に稼動しており、除去効率として設計値(100~10000)よりも30~80倍高い値を得ている。スタックから放出されている気体トリチウム廃棄物は、平均濃度26Bq/m
であり、放射線障害防止法の規制値の1/200以下を達成している。14年間のTPLの運転により、今後の核融合施設にとって重要なトリチウム取扱い機器の不具合データベース等を蓄積するとともに、トリチウム機器の保守・変換作業等に関する手順,ノウハウを確立することができた。さらなる核融合施設の安全取扱い技術向上に向けて、トリチウム軽量管理・挙動,トリチウム除染に関する研究活動を展開している。
勝山 幸三; 永峯 剛; 前田 宏治; 松元 愼一郎
JNC TN9410 2000-009, 65 Pages, 2000/09
JNC-TN9410-2000-009.pdf:4.36MB
日本国内初の高速炉(実験炉「常陽」)を用いたウラン・プルトニウム混合炭・窒化物燃料(以下 炭・窒化物燃料)の照射試験は、高速炉における照射挙動及び燃料ピンの健全性を確認し、新型燃料の評価に資するために実施した。本研究では炭化物燃料ピン1本、窒化物燃料ピン2本を最大燃焼度約40GWd/tまで照射した。炭・窒化物燃料の非破壊照射後試験は大洗工学センター照射燃料集合体試験施設において平成11年10月から開始し、平成12年3月に終了した。本報告書は炭・窒化物燃料の非破壊照射後試験結果について報告するものである。主な結果を以下に示す。(1)照射後非破壊試験結果から炭・窒化物燃料ピンの健全性を確認した。(2)炭・窒化物燃料のスタック伸び率は、高速炉用MOX燃料のそれよりも大きく、これは燃料スエリング挙動の違いに起因している現象と予測される。(3)炭・窒化物燃料のスタック部の
線強度分布に特異な挙動は確認されなかった。窒化物燃料では下部熱遮蔽ペレット部及び燃料ペレット外周部へのCs137の移動挙動に差異が認められた。炭化物燃料では明確なCs137の移動は確認されなかった。(4)燃料ピン寸法測定から直径ギャップ幅の小さい炭化物燃料及び窒化物燃料ではスタック部にFCMIに起因すると予測される50
m前後の外径増加が確認された。一方、直径ギャップ幅の大きい窒化物燃料ではペレットのリロケーションに伴うと予測される比較的顕著なオーバリティが観察された。(5)窒化物燃料のFPガス放出率は3.3%と5.2%を示し、高速炉用MOX燃料と比較すると低い値であった。
小森 芳廣; 島川 聡司; 小向 文作; 長尾 美春; 明石 一朝; 桜井 文雄
JAERI-Tech 95-020, 63 Pages, 1995/03
国際的な核不拡散政策に沿って原研においても試験研究炉の低濃縮化が進められているが、その一環として、1994年1月、JMTRの全炉心低濃縮化が達成された。JMTRで使用する低濃縮ウラン燃料は、ウラン密度4.8g/cmのシリサイド燃料であり、可燃性吸収体として燃料要素の側板にカドミウムワイアが挿入されたものである。低濃縮燃料炉心の特性試験結果から、原子炉の停止能力は十分に確保されていること及び従来の中濃縮燃料炉心と同等の負の反応度フィードバック効果を有していることを確認した。運転初期の過剰反応度についても、カドミウムワイヤの効果によりほぼこれまでの中濃縮燃料炉心と同程度に抑えられていることが確認された。また、運転中の過剰反応度変化についても、ほぼ予想通りの結果が得られた。
)多チャンネル試験結果,III; 高温試験結果日野 竜太郎; 高瀬 和之; 丸山 創; 宮本 喜晟
JAERI-M 90-033, 37 Pages, 1990/03
大型ヘリウムガスループ(HENDEL)の燃料体スタック実証試験部(T)では、12本の電気加熱方式の模擬燃料棒を挿荷した燃料体1カラムの実寸大模型「多チャンネル試験装置」を用いて、ヘリウムガスを1000
Cまで加熱する高温試験を行なった。本報は、模擬燃料体カラム内の発熱分布を均一にした場合と、傾斜状に変化させて実機燃料体カラム内の発熱分布を模擬した場合の高温試験結果についてまとめたものである。12本の模擬燃料棒の発熱量を均一にした試験では、ヘリウムガスはほぼ一様に配分されること、熱放射による伝熱量は燃料棒表面温度とともに増大して層流域では20%以上に達し、熱伝達率の平均的特性は従来の試験結果とよく一致した。また、傾斜出力試験では、3次元温度分布解析によりブロック水平断面内の温度差はかなり小さいことが分かった。
)1チャンネル試験装置の試験結果,第2報; 高温試験結果日野 竜太郎; 高瀬 和之; 丸山 創; 宮本 喜晟
JAERI-M 90-032, 46 Pages, 1990/03
HTTR用燃料体の熱設計および安全性の評価に寄与するため、HENDELの燃料体スタック実証試験部(T)では、燃料チャンネルの実寸大模型「1チャンネル試験装置」に電気加熱方式の模擬燃料棒を装荷して、ヘリウムガスを1000Cまで加熱する高温試験を行なった。本報は、軸方向に一様な発熱分布の模擬燃料棒と軸方向に発熱分布を有する模擬燃料棒を用いて、ヘリウムガスを1000Cまで昇温させたときの燃料冷却チャンネルの伝熱流動特性についてまとめたものである。圧力損失については、本試験結果とこれまでの試験結果を合わせて、摩擦損失係数の整理式を得た。また、本試験で得られた燃料棒の熱伝達率は、ヘリウムガスを750Cまで加熱したときの中温試験結果と良く一致し、軸方向の発熱分布の違いによる熱伝達率の差はほとんどみられなかった。
)多チャンネル試験結果,II; 不均一発熱試験結果日野 竜太郎; 高瀬 和之; 丸山 創; 宮本 喜晟
JAERI-M 90-017, 58 Pages, 1990/02
高温工学試験研究炉用燃料体の熱設計および安全性の評価に寄与するため、大型ヘリウムガスループ(HENDEL)の燃料体スタック実証試験部(T)では、模擬燃料体カラム模型「多チャンネル試験装置」を用いて、ヘリウムガスを750Cまで加熱する中温試験を行った。本報は、模擬燃料体カラムに装荷した12本の模擬燃料棒の発熱量を不均一にした場合と、傾斜状に変化させて実機燃料体カラム内の発熱分布を模擬した場合の中温試験結果についてまとめたものである。本試験により、極端な発熱分布及び実機相当の発熱分布における流量配分特性、黒鉛ブロック内温度分布特性等が明らかとなった。
高瀬 和之; 丸山 創; 日野 竜太郎; 菱田 誠; 井沢 直樹; 下村 寛昭
日本原子力学会誌, 28(5), p.428 - 435, 1986/00
被引用回数：4 パーセンタイル：48.02(Nuclear Science & Technology)多目的高温ガス実験炉(VHTR)の炉心燃料体を実寸規模で模擬した燃料体スタック実証試験部(T)を用いて、実験炉と同等の高温高圧のHeガスの条件のもとで、伝熱流動試験が行われている。本報は、燃料体スタック実証試験部のうちの1チャンネル試験装置で得られた試験結果について報告するものである。試験条件は流路入口で290~620K、0.4~4.0MPa、発熱量は最大90kW、環状流路の内外径比は0.865である。また、使用した模擬燃料棒は、軸方向に一様な発熱分布を有している。本試験の結果、模擬燃料棒の摩擦計数と熱伝達率は、平滑環状流路の値に比べてそれぞれ約20%、約15~60%高い値を示した。この原因としては、模擬燃料棒の表面に取り付けたスペーサ・リブの効果によるものと考えられる。
):1チャンネル試験装置の試験結果; 第1報,軸方向に一様発熱分布を有する場合高瀬 和之; 丸山 創; 日野 竜太郎; 菱田 誠; 井沢 直樹; 田中 利幸; 下村 寛昭
JAERI-M 85-084, 41 Pages, 1985/06
多目的高温ガス実験炉(VHTR)の炉心燃料体を実寸規模で模擬した燃料体スタック実証試験部(T)では、実験炉と同等の高温高圧のHeガスの条件のもとで伝熱流動試験を実施している。本報は、燃料体スタック実証試験部のうちの1チャンネル試験装置で得られた試験結果を整理したものである。試験条件は、入口温度290~620K、入口圧力0.4~4.0MPa、流量1.0~44g/s、発熱量は90kWである。また、使用した模擬燃料棒は、軸方向に一様な発熱分布を有している。本試験の結果、模擬燃料棒の摩擦係数と熱伝達率は、レイノルズ数が2,000以上の範囲では平滑環状流路の値に比べて、それぞれ約20%、約15~60%高い値を示した。この原因としては、模擬燃料棒の表面に設置してあるスペーサ・リブが乱流促進体として有効に作用していると考えられる。
)の概要と建設井沢 直樹; 高瀬 和之; 丸山 創; 下村 寛昭; 菱田 誠; 田中 利幸; 鈴木 靖之*; 秋定 俊裕*
日本原子力学会誌, 27(12), p.1136 - 1146, 1985/00
被引用回数：3 パーセンタイル：47.04(Nuclear Science & Technology)多目的高温ガス炉は、ヘリウムガスを冷却材とし、黒鉛を減速材とするガス冷却炉の一形式であり、原子炉から取り出される熱エネルギを、種々の化学工業プロセスに、直接利用することを目的としている。原研では、昭和44年以来、その実験炉の建設を目指して研究開発が進められている。実験炉の原子炉出口冷却材温度は、約950Cであり、高温下にさらされる炉の構成機器、すなわち、黒鉛ブロック燃料体,高温炉床構造物,中間熱交換器,高温配管等は、その成果に基づいて設計が行われている。本報は、実験炉とほぼ同条件下において、機器の性能,強度等の総合性能,安全性の確認を行うために建設された大型構造機器実証試験装置(HENDEL)の最初の試験部である燃料体スタック実証試験部(HENDEL T)の構成,試験計画等について述べる。
森内 茂; 宮永 一郎
日本原子力学会誌, 15(7), p.509 - 515, 1973/07
原子炉スタックより放出される放射性希ガスによる外部被曝の評価は従来、スタック・モニタによって測定される濃度から計算されてきた。しかし、Kr、Xe系の混合放射性希ガスが問題となる発電用原子炉では排ガスの貯溜時間、ホールドアップ時間で核種組成が変化するため、濃度のみの情報からは正確な被曝評価ができないという問題があった。ここで、線被曝評価式中で取扱われる線エネルギー放出量
(Q・E・F)を、従来のキュリー単位の放射量(Q)に代わる新しい測定項目として取り上げ、これが濃度に代わる測定項目として評価式の簡略化と精度の向上に非常に有効であることを明らかにするとともに、この方式による被曝評価に必要な諸要素の測定法を検討し、測定装置の具体的な設計をおこなった。
淺原 亮平*; 野崎 幹人*; 山田 高寛*; 伊藤 丈予*; 中澤 敏志*; 石田 昌宏*; 上田 哲三*; 吉越 章隆; 細井 卓治*; 志村 考功*; et al.
no journal, ,
GaNは次世代パワーデバイス材料として期待されている。一方、我々はこれまでにAlO中に窒素を添加したAlON膜をゲート絶縁膜とすることで電荷トラップを低減し、電子注入耐性に優れたSiC MOSデバイスを実現している。本研究では、AlON膜をAlGaN/GaN基板上にスパッタ成膜し、放射光光電子分光法による耐熱性評価を行うと共に、AlON/AlGaN/GaN MOSキャパシタを作製し、界面電気特性の評価を行った。3nmのAlONまたはAlO膜を成膜した試料について、SPring-8 BL23SUにてGa 3d, Ga 2p, N 1s, Al 2pスペクトルを取得した結果、AlO膜では800度の熱処理を行うと、表面側にGaやAl原子が拡散していることがわかった。一方、AlON膜の場合は、800度の熱処理前後でスペクトルにほとんど変化がなく、優れた耐熱性を有することがわかった。また、800度の熱処理が施されたキャパシタの界面準位密度を測定した結果、AlON/AlGaN界面の界面準位密度はAlO/AlGaN界面の約1/5低い値を示し、界面特性に優れることがわかった。これらの結果は、AlON膜がAlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート絶縁膜としての可能性を示すものである。
